登峰娱乐游戏gm777.top是一家集登峰娱乐游戏,登峰娱乐游戏,登峰娱乐游戏于一体的综合性娱乐公司,为玩家提供全方位的游戏体验,诚邀您的体验。

劉芳

【 發布日期:2019-07-05 | 點擊:


姓名:劉芳

職稱:講師

郵箱:fangliu@wit.edu.cn

地址:湖北省武漢市武漢工程大學材料科學與工程學院A310

教育及工作經歷

2019年–今 : 武漢工程大學材料科學與工程學院,講師
2013年 – 2018年: 德國亥姆霍茲德累斯頓羅森多夫研究中心離子束物理與材料研究所/德累斯頓工業大學登峰娱乐游戏,物理學專業,博士學位
2010年– 2013年: 鄭州大學物理工程學院,凝聚態物理專業,碩士學位
2006年– 2010年: 周口師范學院物理與電信工程學院,物理學專業登峰娱乐游戏,學士學位  

研究方向

硅摻雜材料的制備與光電性能研究

科研項目

德國青年科學家基金(HGF-VHNG-713)登峰娱乐游戏,離子束處理自旋電子學及光伏功能材料登峰娱乐游戏,2011-2016年,參與

代表性成果

論文

F. Liu, M. Wang, Y. Berencén, S. Prucnal, M. Engler, R. Hübner, Y. Yuan, R. Heller, R. Böttger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm and S. Zhou, On the insulator-to-metal transition in titanium-implanted silicon, Scientific Reports, 2018, 8, 4164.
F. Liu, S. Prucnal, Y. Berencén, Z. Zhang, Y. Yuan, Y. Liu, R. Heller, R. Boettger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou, Realizing the insulator-to-metal transition in Se-hyperdoped Si via non-equilibrium material processing, J. Phys. D: Appl. Phys., 2017, 50, 415102.
F. Liu, S. Prucnal, R. Hübner, Y. Yuan, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou, Suppressing the cellular breakdown in silicon supersaturated with titanium, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, 49, 245104.
F. Liu, S. Prucnal, Y. Yuan, R. Heller, Y. Berencén, R. Boettger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou, Structural and electrical properties of Se-hyperdoped Si via ion implantation and flash lamp annealing, Nuclear Inst, and Methods in Physics Research B, 2018, 424, 52–55.
S. Zhou, F. Liu, S. Prucnal, K. Gao, M. Khalid, C. Baehtz, M. Posselt, W. Skorupa, M. Helm, Hyperdoping silicon with selenium: solid vs. liquid phase epitaxy, Scientific Reports, 2015, 5, 8329.
S. Prucnal, F. Liu, M. Voelskow, L. Vines, L. Rebohle, D. Lang, Y. Berencén, S. Andric, R. Boettger, M. Helm, S. Zhou, W. Skorupa, Ultra-doped n-type germanium thin films for sensing in the mid-infrared, Scientific Reports, 2016, 6, 27643.
S. Prucnal, F. Liu, Y. Berencén, L. Vines, L. Bischoff, J. Grenzer, S. Andric, S. Tiagulskyi, K. Pyszniak, M. Turek, A. Drozdziel, M. Helm, S. Zhou, W. Skorupa, Enhancement of carrier mobility in thin Ge layer by Sn co-doping, Semi. Sci. & Technol., 2016, 31, 105012.
J.  Zhu, F. Liu, S. Zhou, C, Franke, S. Wimmer, V. V. Volobuev, G. Springholz, A. Pashkin, H. Schneider, M. Helm, Lattice vibrations and electrical transport in (Bi1-xInx)2Se3 films, Appl. Phys. Lett. 2016, 109, 202103. 

登峰娱乐游戏